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2N3849

更新时间： 2024-01-17 07:04:45

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	215K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-210AE

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2N3849 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	20 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2N3849 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N3850	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N3850E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格
2N3851	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N3851E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格

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