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2N3849E3

更新时间： 2024-02-09 21:05:24

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	80K
描述
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

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2N3849E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-63, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-63	JESD-30 代码：	O-MUPM-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3849E3 数据手册

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N3850	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N3850E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格
2N3851	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N3851E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格
2N3852	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格

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