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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.62 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3858 | GE |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3858 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
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| 2N3858-60 | GE |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3858A | GE |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3858A | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-9 |
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| 2N3858A | NJSEMI |
获取价格 |
General Purpose Bipolar Transistor |
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| 2N3859 | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N3859 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
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| 2N3859A | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
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| 2N3859A | GE |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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