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2N3859

更新时间: 2024-11-20 20:30:31
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3页 295K
描述
Transistor

2N3859 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.62 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):90 MHzBase Number Matches:1

2N3859 数据手册

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