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2N3858A

更新时间: 2024-10-31 14:53:11
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NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
General Purpose Bipolar Transistor

2N3858A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83集电极-发射极最大电压:60 V
JESD-30 代码:O-PBCY-W3JESD-609代码:e0
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N3858A 数据手册

  

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