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2N385

更新时间： 2024-02-26 22:37:44

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	343K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-5

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2N385 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	100 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N385 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3850	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N3850E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格
2N3851	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N3851E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格
2N3852	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA	获取价格
2N3852E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格

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