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| MICRO-ELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 147K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92B, 3 PIN | ||
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.62 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3855A | NJSEMI |
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SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3855A | CENTRAL |
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Transistor |
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| 2N3855A | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3856 | NJSEMI |
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SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3856 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3856A | NJSEMI |
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SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3856A | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N3856A | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N3858 | GE |
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SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3858 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
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