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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-63 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.75 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3847E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N3849 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
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| 2N3849E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N385 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| 2N3850 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA |
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| 2N3850E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N3851 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA |
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| 2N3851E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N3852 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA |
|
| 2N3852E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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