2N2221AUB

更新时间： 2024-11-17 22:09:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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2N2221AUB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

2N2221AUB 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 255

Devices

2N2221A

Qualified Level

JAN

2N2222A

2N2221AL

2N2221AUA

2N2221AUB

2N2222AL

2N2222AUA

2N2222AUB

JANTX

JANTXV

JANS

JANHC

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

All Types

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

6.0

800

TO-18* (TO-206AA)

2N2221A, 2N2222A

mAdc

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C

2N2221A, L; 2N2222A, L ⁽¹⁾

0.5

0.65

0.50

P_T

2N2221AUA; 2N2222AUA ⁽²⁾

2N2221AUB; 2N2222AUB ⁽¹⁾

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_op_,T

stg

4 PIN*

2N2221AUA, 2N2222AUA

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

2N2221A, L; 2N2222A, L

325

210

325

⁰C/W

qJA

2N2221AUA; 2N2222AUA

2N2221AUB; 2N2222AUB

3 PIN*

2N2221AUB, 2N2222AUB

1) Derate linearly 3.08 mW/⁰C above T_A> +37.5⁰C

2) Derate linearly 4.76 mW/⁰C above T_A> +63.5⁰C

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 75 Vdc

V_CB= 60 Vdc

mAdc

hAdc

I_CBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0 Vdc

V_EB= 4.0 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

I_CES

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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2N2221AUB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N2221AUB	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 3 PIN
2N2221A	MICROSEMI	完全替代	SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON

与2N2221AUB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2221AUB/TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
2N2221AUBC	MICROSEMI	获取价格	RADIATION HARDENED
2N2221AUBCE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
2N2221AUBE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
2N2221AX	SEME-LAB	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING BIPOLAR NPN
2N2221CSM	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1
2N2221DCSM	SEME-LAB	获取价格	Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed
2N2221L	TE	获取价格	Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors
2N2221UA	TE	获取价格	Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors
2N2222	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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