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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE, HIGH SWITCHING SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 700 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 600 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI200N-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI200N-060-03 | FUJI |
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600V / 200A 2 in one-package |
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| 2MBI200N-060-03A | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-060-03B | FUJI |
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暂无描述 |
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| 2MBI200N-060-03C | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-060-03D | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-060-03F | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI200NB-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI200NB-120-01 | FUJI |
获取价格 |
1200V / 200A 2 in one-package |
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