5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI200NB-120-01
2MBI200NB-120-01 PDF预览

2MBI200NB-120-01

更新时间： 2024-09-15 02:52:23
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 199K
描述
1200V / 200A 2 in one-package

阅读下载

中文翻译

获取价格

2MBI200NB-120-01 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：200 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUITJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：850 ns标称接通时间 (ton)：650 ns
Base Number Matches：1

2MBI200NB-120-01 数据手册

 浏览型号2MBI200NB-120-01的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2MBI200NB-120-01的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2MBI200NB-120-01的Datasheet PDF文件第4页 
IGBT Module  
2MBI200NB-120-01  
1200V / 200A 2 in one-package  
Features  
· VCE(sat) classified for easy parallel connection  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Low inductance module structure  
Applications  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Equivalent Circuit Schematic  
C2E1  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
E2  
C1  
Rating  
1200  
Unit  
V
Item  
Symbol  
VCES  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector Continuous  
¤
¤
±20  
V
VGES  
200  
A
IC  
400  
A
current  
1ms  
IC pulse  
-IC  
200  
A
G1  
E1  
G2  
E2  
¤ Current control circuit  
400  
A
1ms  
-IC pulse  
PC  
1500  
W
°C  
°C  
V
Max. power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
VCE(sat) classification  
Rank Lenge  
+150  
Tj  
Conditions  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
Tstg  
F
2.25 to 2.50V  
2.40 to 2.65V  
2.55 to 2.80V  
2.70 to 2.95V  
2.85 to 3.10V  
3.00 to 3.30V  
Vis  
A
B
C
D
E
Ic = 200A  
VGE = 15V  
Tj = 25°C  
N·m  
N·m  
Screw torque  
Mounting *1  
Terminals *2  
4.5  
*1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5) or (M6)  
*2 : Recommendable value : 3.5 to 4.5 N·m (M6)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
Input capacitance  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
–
–
–
–
2.0  
30  
7.5  
3.3  
–
VGE=0V, VCE=1200V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=200mA  
VGE=15V, IC=200A  
VGE=0V  
mA  
µA  
V
4.5  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
32000  
11600  
10320  
pF  
Output capacitance  
–
VCE=10V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
–
f=1MHz  
0.65  
1.2  
0.6  
1.5  
0.5  
3.0  
VCC=600V  
µs  
tr  
0.25  
0.85  
0.35  
IC=200A  
Turn-off time  
toff  
VGE=±15V  
tf  
RG=4.7ohm  
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
VF  
–
–
IF=200A, VGE=0V  
IF=200A  
V
trr  
0.35  
µs  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.085  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*  
IGBT  
–
–
–
–
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
Diode  
–
0.18  
–
the base to cooling fin  
0.025  
* : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

中文翻译

下载PDF

与2MBI200NB-120-01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI200NB-120-01A FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200NB-120-01B FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200NB-120-01C FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200NB-120-01F FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200NE-120 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( N series )
2MBI200NT-120-02 FUJI

获取价格

 		IGBT module
2MBI200P-140 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( P-Series )
2MBI200PB-140 FUJI

获取价格

 		IGBT Modules P series
2MBI200PB-140_04 FUJI

获取价格

 		IGBT Module
2MBI200S-120 FUJI

获取价格

 		1200V / 200A 2 in one-package

与2MBI200NB-120-01相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证