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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI200N-060-03C
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2MBI200N-060-03C

更新时间： 2024-09-13 13:04:03
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制局域网
页数 文件大小 规格书
4页 182K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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2MBI200N-060-03C 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：200 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUITJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：600 ns标称接通时间 (ton)：600 ns
Base Number Matches：1

2MBI200N-060-03C 数据手册

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IGBT Module  
2MBI200N-060-03  
600V / 200A 2 in one-package  
Features  
· VCE(sat) classified for easy parallel connection  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Low inductance module structure  
Applications  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Equivalent Circuit Schematic  
C2E1  
Maximum ratings and characteristics  
E2  
C1  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Unit  
V
Item  
Symbol  
VCES  
Rating  
¤
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector Continuous  
¤
600  
V
VGES  
±20  
A
IC  
200  
A
current  
1ms  
IC pulse  
-IC  
400  
G1  
E1  
G2  
E2  
A
¤ Current control circuit  
200  
A
1ms  
-IC pulse  
PC  
400  
780  
VCE(sat) classification  
Rank Lenge  
W
Max. power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
°C  
°C  
V
Tj  
Conditions  
+150  
Tstg  
F
1.85 to 2.10V  
2.00 to 2.25V  
2.15 to 2.40V  
2.30 to 2.60V  
2.50 to 2.80V  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
Vis  
A
B
C
D
Ic = 200A  
VGE = 15V  
Tj = 25°C  
N·m  
N·m  
Screw torque  
Mounting *1  
Terminals *1  
3.5  
*1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m(M5)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
–
Max.  
2.0  
30  
7.5  
2.8  
–
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
Input capacitance  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
–
–
VGE=0V, VCE=600V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=200mA  
VGE=15V, IC=200A  
VGE=0V  
mA  
µA  
V
–
4.5  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
13200  
2930  
1330  
pF  
Output capacitance  
–
VCE=10V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
–
f=1MHz  
0.6  
1.2  
0.6  
1.0  
VCC=300V  
µs  
tr  
0.2  
0.6  
0.2  
IC=200A  
Turn-off time  
toff  
VGE=±15V  
tf  
0.35  
RG=9.1ohm  
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
VF  
–
–
3.0  
0.3  
IF=200A, VGE=0V  
IF=200A  
V
trr  
µs  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
Rth(j-c)  
IGBT  
–
–
–
–
–
0.16  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
Diode  
0.35  
–
Rth(c-f)*2  
the base to cooling fin  
0.025  
*2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

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与2MBI200N-060-03C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI200N-060-03D FUJI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200N-060-03F FUJI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200N-120 FUJI

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2MBI200NB-120 FUJI

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