Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI200P-140

2MBI200P-140

更新时间： 2024-09-14 22:06:11

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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描述
IGBT MODULE ( P-Series )

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2MBI200P-140 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	300 A
集电极-发射极最大电压：	1400 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1000 ns
标称接通时间 (ton)：	1200 ns	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

2MBI200P-140 数据手册

2-Pack IGBT

1400V

2MBI 200P-140

200A

IGBT MODULE ( P-Series )

n Outline Drawing

n Features

• Square SC SOA at 10 x I_C

• Simplified Parallel Connection

• Narrow Distribution of Characteristics

• High Short Circuit Withstand-Capability

n Applications

• High Power Switching

• A.C. Motor Controls

• D.C. Motor Controls

• Uninterruptible Power Supply

n Maximum Ratings and Characteristics

n Equivalent Circuit

• Absolute Maximum Ratings ( T_c=25°C)

Items

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

Symbols

Ratings

1400

± 20

Units

V_CES

V_GES

Continuous T_C=25°C

Continuous T_C=80°C

300

200

I_C

Collector

Current

1ms

T_C=25°C

T_C=80°C

600

400

I_{C PULSE}

-I_C

200

1ms

-I_{C PULSE}

400

Max. Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

P_C

T_j

T_stg

V_is

Mounting *1

Terminals *2

1500

+150

-40 ~ +125

2500

3.5

°C

A.C. 1min.

Screw Torque

4.5

Note: *1:Recommendable Value; 2.5 ~ 3.5 Nm (M5) or (M6)

*2:Recommendable Value; 3.5 ~ 4.5 Nm (M6)

• Electrical Characteristics ( at T_j=25°C )

Items

Symbols

I_CES

I_GES

Test Conditions

V_GE=0V V_CE=1400V

V_CE=0V V_GE=± 20V

V_GE=20V I_C=200mA

T_j= 25°C V_GE=15V I_C=200A

T_j=125°C V_GE=15V I_C=200A

V_GE=0V

V_CE=10V

f=1MHz

V_CC=600V

I_C=200A

Min.

Typ.

Max.

2.0

400

9.0

Units

µA

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leackage Current

Gate-Emitter Threshold Voltage

V_GE(th)

6.0

8.0

2.7

3.3

20000

3000

1300

3.0

Collector-Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

Input capacitance

Output capacitance

Reverse Transfer capacitance

C_ies

C_oes

C_res

t_ON

t_r

t_OFF

t_f

V_F

t_rr

1.2

0.6

1.0

0.3

3.3

350

Turn-on Time

Turn-off Time

µs

V_GE=± 15V

R_G=4.7W

I_F=200A V_GE=0V

I_F=200A

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

2.4

• Thermal Characteristics

Items

Symbols

R_th(j-c)

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

0.085

0.180

Units

IGBT

Diode

Thermal Resistance

°C/W

R_th(c-f)

With Thermal Compound

0.025

12 3 4 5

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