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2MBI200U2A-060_0409

更新时间： 2024-11-04 07:28:07
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
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4页 104K
描述
IGBT Module

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2MBI200U2A-060_0409 数据手册

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2MBI200U2A-060  
600V / 200A 2 in one-package  
IGBT Module U-Series  
Equivalent Circuit Schematic  
Features  
Applications  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Low inductance module structure · Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Conditions  
Rating  
600  
Unit  
V
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector current  
±20  
200  
V
Continuous  
1ms  
A
ICp  
400  
-IC  
200  
-IC pulse  
PC  
400  
Collector Power Dissipation  
1 device  
AC:1min.  
660  
W
°C  
Junction temperature  
Tj  
+150  
-40 to +125  
2500  
3.5  
Storage temperature  
Tstg  
Isolation voltage between terminal and copper base *1  
Viso  
VAC  
N·m  
Screw Torque  
Mounting *2  
Terminals *2  
3.5  
*1 : All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
*2 : Recommendable value : Mounting 2.5 to 3.5N·m(M5), Terminal 2.5 to 3.5 N·m(M5)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbols Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
VGE=0V, VCE=600V  
mA  
nA  
V
ICES  
–
–
6.2  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1.0  
200  
7.7  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=200mA  
VGE=15V, IC=200A  
IGES  
–
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
VGE(th)  
VCE(sat)  
(terminal)  
VCE(sat)  
(chip)  
Cies  
6.7  
2.15  
2.40  
1.85  
2.10  
V
2.45  
–
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
–
–
Input capacitance  
Turn-on time  
VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz  
nF  
µs  
14  
–
VCC=300V  
ton  
0.40  
0.22  
0.16  
0.48  
0.07  
1.90  
1.95  
1.60  
1.65  
–
1.20  
0.60  
–
IC=200A  
tr  
VGE=±15V  
tr(i)  
Turn-off time  
RG= 16 Ω  
toff  
1.20  
0.45  
2.30  
–
tf  
Forward on voltage  
VGE=0V  
IF=200A  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
V
VF  
(terminal)  
VF  
–
(chip)  
trr  
–
Reverse recovery time  
IF=200A  
µs  
0.35  
–
Lead resistance, terminal-chip*3  
mΩ  
R lead  
1.39  
*3:Biggest internal terminal resistance among arm.  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
–
–
–
–
0.19  
0.32  
–
IGBT  
FWD  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
°C/W  
–
Rth(j-c)  
°C/W  
°C/W  
0.05  
With thermal compound  
Contact Thermal resistance  
Rth(c-f)*4  
*4 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1234

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