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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI200S-120
2MBI200S-120 PDF预览

2MBI200S-120

更新时间： 2024-09-15 02:57:15
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 499K
描述
1200V / 200A 2 in one-package

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2MBI200S-120 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：300 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2MBI200S-120 数据手册

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IGBT Module  
2MBI200S-120  
1200V / 200A 2 in one-package  
Features  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Low inductance module structure  
Applications  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent Circuit Schematic  
Unit  
V
Item  
Symbol  
VCES  
Rating  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltaga  
Collector Continuous  
current  
1200  
C2E1  
V
VGES  
±20  
A
E2  
C1  
Tc=25°C IC  
300  
A
Tc=80°C  
200  
A
1ms  
Tc=25°C IC pulse  
600  
A
Tc=80°C  
-IC  
400  
200  
A
A
1ms  
-IC pulse  
PC  
400  
W
°C  
°C  
V
Max. power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage *1  
Screw torque  
1500  
G1  
E1  
G2  
E2  
Tj  
+150  
Tstg  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
Vis  
N·m  
N·m  
Mounting *2  
Terminals *2  
4.5  
*1 : Aii terminals should be connected together when isolation test will be done  
*2 : Recommendable value : Mounting 2.5 to 3.5 N·m(M5 or M6)  
Terminals 3.5 to 4.5 N·m(M6)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Min. Typ.  
Conditions  
Unit  
Max.  
1.0  
0.4  
8.5  
2.6  
–
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
mA  
µA  
V
ICES  
–
–
VGE=0V, VCE=1200V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=200mA  
IGES  
–
–
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
VGE(th)  
VCE(sat)  
5.5  
–
7.2  
2.3  
2.8  
V
Tc=25° C VGE=15V, IC=200A  
Tc=125°C  
–
Input capacitance  
pF  
µs  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
–
24000  
5000  
4400  
–
VGE=0V  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
–
–
VCE=10V  
–
–
f=1MHz  
–
0.35 1.2  
0.25 0.6  
VCC=600V  
IC=200A  
tr  
–
tr(i)  
toff  
–
0.1  
–
VGE=±15V  
Turn-off time  
–
0.45 1.0  
0.08 0.3  
RG=4.7 ohm  
tf  
–
Forward on voltage  
Reverse recovery time  
V
VF  
–
2.3  
2.0  
–
3.0  
–
Tj=25°C  
Tj=125°C  
IF=200A  
IF=200A, VGE=0V  
–
µs  
trr  
–
0.35  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*2  
IGBT  
–
–
–
–
–
0.085  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Diode  
0.18  
–
the base to cooling fin  
0.025  
*2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI200SB-120 FUJI

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 		IGBT MODULE
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