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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI200N-060
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2MBI200N-060

更新时间： 2024-09-12 22:06:11
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 159K
描述
IGBT MODULE ( N series )

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2MBI200N-060 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：200 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT
最大降落时间（tf）：350 nsJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：1600 W最大功率耗散 (Abs)：800 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：600 ns
标称接通时间 (ton)：600 nsVCEsat-Max：2.8 V
Base Number Matches：1

2MBI200N-060 数据手册

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IGBT MODULE ( N series )  
n Outline Drawing  
n Features  
• Square RBSOA  
• Low Saturation Voltage  
• Less Total Power Dissipation  
• Improved FWD Characteristic  
• Minimized Internal Stray Inductance  
• Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)  
n Applications  
• High Power Switching  
• A.C. Motor Controls  
• D.C. Motor Controls  
• Uninterruptible Power Supply  
n Maximum Ratings and Characteristics  
n Equivalent Circuit  
• Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)  
Items  
Collector-Emitter Voltage  
Gate -Emitter Voltage  
Symbols  
Ratings  
600  
± 20  
Units  
V
V
VCES  
VGES  
Continuous  
1ms  
Continuous  
1ms  
IC  
200  
400  
200  
400  
Collector  
Current  
IC PULSE  
-IC  
-IC PULSE  
A
Max. Power Dissipation  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
PC  
Tj  
Tstg  
Vis  
Mounting *1  
Terminals *1  
780  
W
°C  
°C  
V
+150  
-40 ~ +125  
2500  
3.5  
A.C. 1min.  
Screw Torque  
Nm  
3.5  
Note: *1:Recommendable Value; 2.5 ~ 3.5 Nm (M5)  
• Electrical Characteristics ( at Tj=25°C )  
Items  
Zero Gate Voltage Collector Current  
Gate-Emitter Leackage Current  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Input capacitance  
Symbols  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
tON  
tr  
tOFF  
tf  
VF  
trr  
Test Conditions  
VGE=0V VCE=600V  
VCE=0V VGE=± 20V  
VGE=20V IC=200mA  
VGE=15V IC=200A  
VGE=0V  
VCE=10V  
f=1MHz  
VCC=300V  
IC=200A  
Min.  
Typ.  
Max.  
2.0  
30  
7.5  
2.8  
Units  
mA  
µA  
V
4.5  
V
13200  
2930  
1330  
0.6  
0.2  
0.6  
Output capacitance  
Reverse Transfer capacitance  
pF  
1.2  
0.6  
1.0  
0.35  
3.0  
300  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
µs  
VGE=± 15V  
RG=9.1W  
IF=200A VGE=0V  
IF=200A  
0.2  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
ns  
• Thermal Characteristics  
Items  
Symbols  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.16  
0.35  
Units  
IGBT  
Thermal Resistance  
Diode  
°C/W  
Rth(c-f)  
With Thermal Compound  
0.025  
1234

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2MBI200N-060 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CM200DU-12H POWEREX

功能相似

 Dual IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts
CM200DU-12H MITSUBISHI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI200N-060-03 FUJI

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 		600V / 200A 2 in one-package
2MBI200N-060-03A FUJI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200N-060-03B FUJI

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 		暂无描述
2MBI200N-060-03C FUJI

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