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1SS383(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-20 14:39:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
Diode Small Signal Schottky 45V 0.1A 4-Pin USQ T/R

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1SS383(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.53
最大正向电压 (VF)：0.6 V最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C最大功率耗散：0.1 W
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：5 µA
反向测试电压：40 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

1SS383(TE85L,F) 数据手册

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1SS383  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS383  
Low Voltage High Speed Switching  
Unit: mm  
z Small package  
z Composed of 2 independent diodes.  
z Low forward voltage: V  
= 0.54V (typ.)  
F (3)  
z Low reverse current: I = 5μA (max)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300 *  
100 *  
1 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100 *  
125  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
TOSHIBA  
1-2U1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.006g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.54  
―
―
―
V
V
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
0.60  
5
V
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
μA  
pF  
R
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
18  
25  
z
Pin Assignment (Top View)  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS383(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS383_07 TOSHIBA

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 		Low Voltage High Speed Switching
1SS383T1G ROCHESTER

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 		0.3 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, LEAD FREE, CASE 900AA-01, SC-82, 4 PIN
1SS383T1G/D ETC

获取价格

 		Dual Schottky Diode
1SS383T2G ONSEMI

获取价格

 		DIODE 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 900AA-01, SC-82, 4 PIN, Signal Diode
1SS384 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS384(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Diode Small Signal Schottky 15V 0.1A 4-Pin USQ T/R
1SS384_07 TOSHIBA

获取价格

 		Low Voltage High Speed Switching
1SS385 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (HIGH SPEED SWITCHING)
1SS385(T5LSAN,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 15V V(RRM), Silicon
1SS385(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,15V V(RRM),SOT-416

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