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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS385FV
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1SS385FV

更新时间： 2024-01-15 14:44:54
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 211K
描述
High-Speed Switching Applications

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1SS385FV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, ULTRA SMALL, 1-1Q1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.47其他特性：HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1SS385FV 数据手册

 浏览型号1SS385FV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS385FV的Datasheet PDF文件第3页 
1SS385FV  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS385FV  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
1.2±0.05  
0.8±0.05  
z Low forward voltage: V = 0.23 V (typ.) @I = 5 mA  
F
F
z Ultra-small package  
1
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
3
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
15  
10  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
I
200 *  
100 *  
1 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
1. ANODE 1  
2. ANODE 2  
3. CATHODE  
VESM  
Power dissipation  
150**  
125  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
TOSHIBA  
1-1Q1A  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*: Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
** : Mounted on an FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.35  
―
―
0.30  
0.50  
20  
V
V
V
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 5 mA  
= 100 mA  
= 10 V  
―
Reverse current  
I
―
V
V
μA  
R
R
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1 MH  
z
20  
―
pF  
R
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS385FV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS385FV,L3F(B TOSHIBA

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 		Rectifier Diode
1SS387 TYSEMI

获取价格

 		Small Package Low forward voltage :VF(3) = 0.98V(TYP) Small Total Capacitance :CT = 0.5pF(
1SS387 WINNERJOIN

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 		High Speed SWITCHING Diode
1SS387 MCC

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 		85 Volts Switching Diode
1SS387 LGE

获取价格

 		High Speed Switching Diodes
1SS387 TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS387 KEXIN

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 		ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS387 CJ

获取价格

 		SOD-523
1SS387 WON-TOP

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 		SMD
1SS387(TH3PEW,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon

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