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1SS387

更新时间： 2024-11-19 14:53:59

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江苏长电/长晶 - CJ		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	1280K
描述
SOD-523

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1SS387 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS387 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes

High Speed Switching Diode

1SS387

SOD-523

FEATURES

Small surface mounting type

High speed

High reliability with high surge current handing capability

MARKING: G

The marking bar indicates the cathode

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RM

DC Blocking Voltage

V_R

I_FM

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

200

100

I_O

I_FSM

Non-Repetitive Peak

Forward Surge Current @t=8.3ms

Power Dissipation

℃/W

℃

150

Thermal Resistance Junction to Ambient

R_θJA

833

T_J,T_STG

Operation Junction and Storage Temperature Range

-55~+150

Electrical Ratings @Ta=25℃

Parameter

Symbol

V_F1

V_F2

V_F3

I_R1

Min.

Typ.

0.62

0.75

Max.

Unit

Conditions

I_F=1mA

Forward voltage

Reverse current

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

V_R=80V

1.2

0.1

0.5

3.0

μA

I_R2

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

C_T

V_R=0,f=1MHZ

V_R=6V,I_F=10mA,R_L=100Ω

t_rr

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3 4

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