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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.26 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.15 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 85 V | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS388 | WINNERJOIN |
获取价格 |
High Speed SWITCHING Diode |
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| 1SS388 | TYSEMI |
获取价格 |
Small Package Low Forward Voltage :VF(3) = 0.54V(TYP.) |
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| 1SS388 | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| 1SS388 | KEXIN |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION |
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| 1SS388 | HTSEMI |
获取价格 |
High Speed SWITCHING Diodes |
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| 1SS388 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (HGH SPEED SWITCHING APPLICATION) |
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| 1SS388 | LGE |
获取价格 |
High Speed Switching Diode |
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| 1SS388 | MCC |
获取价格 |
45 Volts Switching Diode |
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| 1SS388 | PANJIT |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE |
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| 1SS388 | CJ |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 |
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