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1SS387CT,L3F(T

更新时间: 2024-11-18 21:20:27
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东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管测试
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6页 195K
描述
Rectifier Diode

1SS387CT,L3F(T 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-XBCC-N2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:1.43
应用:FAST RECOVERY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-XBCC-N2
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER最大功率耗散:0.15 W
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向电流:0.5 µA
最大反向恢复时间:0.0016 µs反向测试电压:80 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

1SS387CT,L3F(T 数据手册

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1SS387CT  
Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar  
1SS387CT  
1. Applications  
Ultra-High-Speed Switching  
2. Features  
(1) Small package  
(2) Low forward voltage: VF(3) = 0.98 V (typ.)  
(3) Fast reverse recovery time: trr = 1.6 ns (typ.)  
(4) Small total capacitance: Ct = 0.5 pF (typ.)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
CST2  
Start of commercial production  
2004-08  
2014-04-04  
Rev.3.0  
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