5秒后页面跳转
1SS387FN2_R1_00001 PDF预览

1SS387FN2_R1_00001

更新时间: 2024-10-01 01:18:27
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 开关二极管
页数 文件大小 规格书
5页 166K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

1SS387FN2_R1_00001 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DFN-2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PBCC-N2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.3 W
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:0.0016 µs
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1SS387FN2_R1_00001 数据手册

 浏览型号1SS387FN2_R1_00001的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS387FN2_R1_00001的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1SS387FN2_R1_00001的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1SS387FN2_R1_00001的Datasheet PDF文件第5页 
1SS387FN2  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES  
Unitinch(mm)  
DFN 2L  
200mWatts  
POWER  
80 Volts  
VOLTAGE  
FEATURES  
0.022(0.55)  
0.017(0.45)  
0.042(1.05)  
0.037(0.95)  
• Fast switching Speed.  
• Electrically ldentical to Standerd JEDEC  
• Surface Mount Package ldeally Suited for Automatic lnsertion.  
• Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU  
directive)  
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)  
0.002(0.05)  
MAX.  
0.014(0.36)  
0.013(0.32)  
0.008(0.22)  
MECHANICAL DATA  
• Case : DFN 2L plastic case.  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
Weight : 0.00004 ounces, 0.0011grams  
PIN NO.1  
IDENTIFICATION  
• Marking Code : BZ  
• Polarity : Color band cathode  
1
Cathode  
2
Anode  
ABSOLUTE RATINGS (T =25OC , unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
1SS387FN2  
UNITS  
Reverse Voltage  
80  
85  
V
V
Peak Reverse Voltage  
VRRM  
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
80  
V
Maximum Average Forward Current at T A =25 O  
C
I F(AV)  
150  
mA  
Peak Forward Surge Current, @ 8.33ms AC Half Wave  
@ 10ms AC Half Wave  
2.5  
2.3  
IFSM  
A
Power Dissipation Derate Above 25 OC  
PD  
300  
mW  
OC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-55 to +150  
THERMALCHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RθJA  
1SS387FN2  
400  
UNITS  
OC / W  
Typical Thermal Resistance  
March 8,2017-REV.01  
PAGE . 1  

与1SS387FN2_R1_00001相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS387-G TOSHIBA

获取价格

暂无描述
1SS387L3F TOSHIBA

获取价格

Rectifier Diode
1SS387PT CHENMKO

获取价格

SWITCHING DIODE VOLTAGE 85 Volts CURRENT 0.1 Ampere
1SS387-TP MCC

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
1SS387TPH3F TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
1SS387-TP-HF MCC

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
1SS388 WINNERJOIN

获取价格

High Speed SWITCHING Diode
1SS388 TYSEMI

获取价格

Small Package Low Forward Voltage :VF(3) = 0.54V(TYP.)
1SS388 SEMTECH

获取价格

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS388 KEXIN

获取价格

HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION