是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DFN-2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PBCC-N2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.15 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.3 W |
最大重复峰值反向电压: | 85 V | 最大反向恢复时间: | 0.0016 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1SS387-G | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
1SS387L3F | TOSHIBA |
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Rectifier Diode | |
1SS387PT | CHENMKO |
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SWITCHING DIODE VOLTAGE 85 Volts CURRENT 0.1 Ampere | |
1SS387-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | |
1SS387TPH3F | TOSHIBA |
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type | |
1SS387-TP-HF | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL | |
1SS388 | WINNERJOIN |
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High Speed SWITCHING Diode | |
1SS388 | TYSEMI |
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Small Package Low Forward Voltage :VF(3) = 0.54V(TYP.) | |
1SS388 | SEMTECH |
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SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
1SS388 | KEXIN |
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HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION |