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1SS387(TL3,F,D)

更新时间： 2024-11-18 14:46:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 超快恢复二极管快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 205K
描述
X34 PB-F ESC M8 DIODE (LF), IFM=200MA

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1SS387(TL3,F,D) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：4.58
应用：ULTRA FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs反向测试电压：80 V
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS387(TL3,F,D) 数据手册

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1SS387  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS387  
Ultra High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
z Compact 2-pin package – ideal for high-density mounting  
z Low forward voltage : V = 0.98V (typ.)  
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
F (3)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.5pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P
150 *  
125  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
JEDEC  
―
―
Storage temperature  
T
−55∼125  
stg  
JEITA  
1-1G1A  
TOSHIBA  
Weight: 1.4mg (typ)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,  
pad dimension of 4 × 4mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.62  
0.75  
0.98  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
V
V
V
= 30V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
= 80V  
―
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
0.5  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
I = 10mA, Fig.1  
F
rr  
1
2007-11-01  
1234

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