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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS385,LF(CT
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1SS385,LF(CT

更新时间： 2024-01-19 17:34:38
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关测试光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 193K
描述
Rectifier Diode

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1SS385,LF(CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, ULTRA SMALL, 1-1Q1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.47其他特性：HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1SS385,LF(CT 数据手册

 浏览型号1SS385,LF(CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS385,LF(CT的Datasheet PDF文件第3页 
1SS385  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS385  
High Speed Switching  
Unit: mm  
z Low forward voltage: V  
z Small package  
= 0.23V (typ.) @I = 5mA  
F
F (2)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
15  
10  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200 *  
100 *  
1 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55∼125  
−40∼100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
―
―
EIAJ  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,  
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating  
TOSHIBA  
Weight: 2.4mg  
1-2S1B  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
F
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
―
―
―
―
―
I
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.35  
―
―
0.30  
0.50  
20  
V
V
F (1)  
Forward voltage  
VF (2)  
IF = 5mA  
= 100mA  
V
I
V
F (3)  
F
Reverse current  
I
V
V
= 10V  
μA  
pF  
R
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
20  
40  
z
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS385,LF(CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS385_07 TOSHIBA

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 		High Speed Switching
1SS385F TOSHIBA

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1SS385F_07 TOSHIBA

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1SS385FV TOSHIBA

获取价格

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1SS385FV,L3F(B TOSHIBA

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1SS387 TYSEMI

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