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1SS385(T5LSAN,F)

更新时间： 2024-02-09 17:59:00
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 259K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 15V V(RRM), Silicon

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1SS385(T5LSAN,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.67
应用：GENERAL PURPOSE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.1 W最大重复峰值反向电压：15 V
最大反向电流：20 µA反向测试电压：10 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS385(T5LSAN,F) 数据手册

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1SS385  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS385  
High Speed Switching  
Unit: mm  
z Low forward voltage: V  
z Small package  
= 0.23V (typ.) @I = 5mA  
F
F (2)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
15  
10  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200 *  
100 *  
1 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,  
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating  
TOSHIBA  
1-2S1B  
Weight: 2.4mg (typ.)  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
F
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
―
―
―
―
―
I
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.35  
―
―
0.30  
0.50  
20  
V
V
F (1)  
Forward voltage  
VF (2)  
IF = 5mA  
= 100mA  
V
I
V
F (3)  
F
Reverse current  
I
V
V
= 10V  
μA  
pF  
R
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
20  
40  
z
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
Start of commercial production  
1994-10  
1
2014-03-01  
123

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与1SS385(T5LSAN,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS385(TE85L) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,15V V(RRM),SOT-416
1SS385,LF(CT TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS385_07 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching
1SS385F TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (HIGH SPEED SWITCHING)
1SS385F_07 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching
1SS385FV TOSHIBA

获取价格

 		High-Speed Switching Applications
1SS385FV,L3F(B TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS387 TYSEMI

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 		Small Package Low forward voltage :VF(3) = 0.98V(TYP) Small Total Capacitance :CT = 0.5pF(
1SS387 WINNERJOIN

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 		High Speed SWITCHING Diode
1SS387 MCC

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 		85 Volts Switching Diode

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