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1SS383T1G/D PDF预览

1SS383T1G/D

更新时间： 2024-02-09 13:52:06
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
Dual Schottky Diode

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1SS383T1G/D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-82
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：4
最大输出电流：0.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1SS383T1G/D 数据手册

 浏览型号1SS383T1G/D的Datasheet PDF文件第2页 
1SS383T1G, 1SS383T2G  
Preferred Device  
Dual Schottky Diode  
Dual 40 V, 300 mA Low V Schottky Diodes in 4−lead SC−82  
F
package.  
Features  
• Low Forward Voltage: V = 0.48 V (typ) @ I = 100 mA  
F
F
http://onsemi.com  
• Low Reverse Current: I = 5 mA (max)  
R
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
4
3
Pb−Free Lead Finish  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Max  
40  
Unit  
V
1
2
Continuous Reverse Voltage  
Maximum Peak Forward Current*  
V
R
I
300  
500  
mA  
mA  
FM  
I
FM(surge)  
Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 10 ms  
*Both Devices Active  
SC−82  
CASE 900AA  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Symbol  
Max  
Max  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
AE D  
Unit  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
P
200  
(Note 1)  
1.6  
mW  
A
D
AE = Specific Device Code  
D
= Date Code  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
(Note 1)  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
Junction and Storage Temperature  
1. FR−4 @ Minimum Pad.  
R
625  
(Note 1)  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
4 mm pitch  
3000/Tape & Reel  
1SS383T1G  
1SS383T2G  
SC−82  
4 mm pitch  
3000/Tape & Reel  
SC−82  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Characteristic  
Forward Voltage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
F
mV  
280  
360  
540  
−
−
600  
(I = 1.0 mA)  
−
−
−
F
(I = 10 mA)  
F
(I = 100 mA)  
F
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Reverse Current  
(V = 40 V)  
R
I
R
mA  
−
−
−
−
5
Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
pF  
D
25  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 1  
1SS383T1G/D  
 
12

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与1SS383T1G/D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS383T2G ONSEMI

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 		DIODE 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 900AA-01, SC-82, 4 PIN, Signal Diode
1SS384 TOSHIBA

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 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS384(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Diode Small Signal Schottky 15V 0.1A 4-Pin USQ T/R
1SS384_07 TOSHIBA

获取价格

 		Low Voltage High Speed Switching
1SS385 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (HIGH SPEED SWITCHING)
1SS385(T5LSAN,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 15V V(RRM), Silicon
1SS385(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,15V V(RRM),SOT-416
1SS385,LF(CT TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS385_07 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching
1SS385F TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (HIGH SPEED SWITCHING)

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