1N914BVM

更新时间： 2024-11-24 13:03:47

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罗姆 - ROHM		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	60K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon

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1N914BVM 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N914BVM 数据手册

1N4148 / 1N4150 / 1N4448 / 1N914B

Diodes

Switching diode

1N4148 / 1N4150 / 1N4448 / 1N914B

∗This product is available only outside of Japan.

!External dimensions (Units : mm)

!Applications

High-speed switching

!Features

1) Glass sealed envelope. (GSD)

2) High speed.

CATHODE BAND (BLACK)

Type No.

φ 0.5 0.1

3) High reliability.

φ 1.8 0.2

3.8 0.2

29 1

!Construction

ROHM : GSD

Silicon epitaxial planar

EIAJ : −

JEDEC : DO-35

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

FSM

(V)

(mW)

°C

Topr

Tstg

1µs

(A)

Type

(mA)

(

)

(°C

)

(°C)

1N4148

1N4150

100

450

600

450

150

200

150

200

250

200

500

200

−65

~+200

−65

~+200

1N4448

(1N914B)

100

!Electrical characteristics (Ta = 25°C)

(V)

BV (V) Min.

(µA) Max.

@25°C @150°C

(V) (V)

0.025 20

(pF)

rr (ns)

=6V

Type

VR=0

f=1MHz

IF=10mA

0.1mA 0.25mA 1mA

2mA

5mA

10mA 20mA 30mA 50mA 100mA 200mA 250mA 5µA 100µA

=100Ω

1N4148

1N4150

−

100

50.0

5.0

1.0

0.66

0.54

0.62

0.76

0.86

0.82

0.92

0.87

1.0

0.1

50 100.0 50

2.5

0.74

0.62

0.025 20

5.0 75

1N4448

(IN914B)

−

100

50.0

0.72

and the lower figure is the maximum V

1.0

The upper figure is the minimum V

value.

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