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1N914BWRH

更新时间： 2024-11-20 06:17:55
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
400mW High Speed SMD Switching Diode

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1N914BWRH 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.4 W最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

1N914BWRH 数据手册

 浏览型号1N914BWRH的Datasheet PDF文件第2页 
1N4148W/1N4448W/1N914BW  
400mW High Speed SMD Switching Diode  
Small Signal Diode  
SOD-123F  
B
C
A
Features  
—Fast switching device(Trr<4.0nS)  
—Surface device type mounting  
—Moisture sensitivity level 1  
D
—Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
—Pb free version and RoHS compliant  
E
F
—Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Unit (mm)  
Unit (inch)  
Dimensions  
Min  
1.5  
Max  
Min  
Max  
Mechanical Data  
—Case : Flat lead SOD-123 small outline plastic package  
A
B
C
D
E
F
1.7 0.059 0.067  
3.7 0.130 0.146  
0.7 0.020 0.028  
2.7 0.098 0.106  
3.3  
—Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable  
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
0.5  
—High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
—Polarity : Indicated by cathode band  
—Weight : 8.85±0.5 mg  
2.5  
0.8  
1.0  
0.031 0.039  
0.05  
0.2 0.002 0.008  
Ordering Information  
Part No.  
Packing  
Package  
1NxxxxW RH  
3Kpcs / 7" Reel  
SOD-123F  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
Value  
Units  
mW  
V
Power Dissipation  
400  
100  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Forward Current  
Mean Forward Current  
VRSM  
VRRM  
IFRM  
75  
V
300  
mA  
mA  
°C/W  
°C  
IO  
150  
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)  
Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
TJ, TSTG  
450  
-65 to + 150  
Electrical Characteristics  
Type Number  
Symbol  
Min  
Max  
Units  
100  
75  
IR=100uA  
Reverse Breakdown Voltage  
IR=5uA  
V(BR)  
V
Forward Voltage  
0.62  
0.72  
1.0  
1.0  
25  
1N4448W, 1N914BW  
1N4148W  
IF=5.0mA  
VF  
V
IF=10.0mA  
IF=100.0mA  
VR=20V  
1N4448W, 1N914BW  
nA  
μA  
pF  
ns  
Reverse Leakage Current  
IR  
5.0  
4.0  
4.0  
VR=75V  
CJ  
Junction Capacitance  
VR=0, f=1.0MHz  
Trr  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Notes:2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=10mA, IR=60mA, RL=100Ω, IRR=1mA  
Version : C09  
12

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