1N914BWS

更新时间： 2024-11-01 03:54:55

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		整流二极管信号二极管光电二极管 PC
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Small Signal Diodes

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1N914BWS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOD-323F
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	3.62
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	234807	Samacsys Pin Count：	2
Samacsys Part Category：	Diode	Samacsys Package Category：	Small Outline Diode Flat Lead
Samacsys Footprint Name：	SOD-323FL CASE 477AB ISSUE O	Samacsys Released Date：	2017-06-18 09:22:20
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.72 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N914BWS 数据手册

March 2008

1N4148WS / 1N4448WS / 1N914BWS

Device Marking Code

Device Type Device Marking

Small Signal Diodes

1N4148WS

1N4448WS

1N914BWS

•

General Purpose Diodes

Fast switching Device( TRR < 4.0 ns )

Very Small and Thin SMD package

Moisture Level Sensitivity 1

Pb-free Version and RoHS Compliant

Matte Tin (Sn) Lead Finish

Green Mold Compound

*Band Denotes Cathode

SOD-323F

Absolute Maximum Ratings* T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

Value

100

Units

V_RSM

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

I _FRM

I_O

Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Forward Current

Continuous Forward Current

300

°C

150

T_J

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

+150

T_STG

-55 to +150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Unit

R_θJA

P_D

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

°C/W

Power Dissipation(T_C=25°C)

200

* Device mounted on FR-4 PCB minimum land pad.

Electrical Characteristics T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Typ

Max

Units

I_R= 100 μA

I_R= 5 μA

100

BV_R

Breakdown Voltage

V_R= 20 V

V_R= 75 V

μA

I_R

Reverse Current

1N4448WS/ 914BWS I_F= 5 mA

1N4148WS I_F= 10 mA

1N4448WS/ 914BWS I_F= 100 mA

V_R= 0, f = 1 MHz

0.62

0.72

V_F

Forward Voltage

C_O

Diode Capacitance

Reverse Recovery Time

I _F= 10 mA, I_R= 60mA

I _RR= 1 mA, R_L= 100 Ω

T_RR

1N4148WS / 1N4448WS / 1N914BWS Rev. 1.0

www.fairchildsemi.com

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