Datasheet > 1N914BWSRR

1N914BWSRR

更新时间： 2024-11-20 05:56:39

品牌	Logo	应用领域
TSC		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	96K
描述
200mW High Speed SMD Switching Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N914BWSRR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

1N914BWSRR 数据手册

1N4148WS/1N4448WS/1N914BWS

200mW High Speed SMD Switching Diode

Small Signal Diode

SOD-323F

Features

Fast switching device(Trr<4.0nS)

Surface device type mounting

Moisture sensitivity level 1

Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate

Pb free version and RoHS compliant

Green compound (Halogen free) with suffix "G" on

packing code and prefix "G" on date code

Unit (mm)

Unit (inch)

Dimensions

Min

Max

Min

Max

Mechanical Data

Case : Flat lead SOD-323 small outline plastic package

1.15 1.35 0.045 0.053

2.30 2.70 0.091 0.106

0.25 0.40 0.010 0.016

1.60 1.80 0.063 0.071

0.80 1.00 0.031 0.039

0.05 0.20 0.002 0.008

Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable

per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s

Polarity : Indicated by cathode band

Weight : 4.85±0.5 mg

Ordering Information

Part No.

Packing

Package

1NxxxxWS RR

3Kpcs / 7" Reel

SOD-323F

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

P^D

Value

200

Units

Power Dissipation

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Forward Current

Mean Forward Current

V^RSM

V^RRM

I^FRM

100

300

°C/W

°C

150

Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)

Junction and Storage Temperature Range

RθJA

TJ, TSTG

500

-65 to + 150

Electrical Characteristics

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

100

IR=100uA

Reverse Breakdown Voltage

IR=5uA

V(BR)

Forward Voltage

0.62

0.72

1.0

1N4448WS, 1N914BWS I^F=5.0mA

V^F

1N4148W

IF=10.0mA

1N4448WS, 1N914BWS I^F=100.0mA

μA

V^R=20V

Reverse Leakage Current

V^R=75V

5.0

4.0

Junction Capacitance

VR=0, f=1.0MHz

Trr

Reverse Recovery Time (Note 2)

Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Notes:2. Reverse Recovery Test Conditions: I_F=10mA, I_R=60mA, R_L=100Ω, I_RR=1mA

Version : C09

中文翻译

下载PDF

与1N914BWSRR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N914BWS-RR	TSC	获取价格	200mW High Speed SMD Switching Diode
1N914BWSRRG	TSC	获取价格	200mW High Speed SMD Switching Diode
1N914BWS-RRG	TSC	获取价格	200mW High Speed SMD Switching Diode
1N914BWT	FAIRCHILD	获取价格	High Conductance Fast Switching Diode
1N914BWT	ONSEMI	获取价格	小信号二极管
1N914BWT	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 75 V;Forward Current Io : 150 mA;Max Surge Current : 2.0 A;Forward Vo
1N914BWTV	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 75 V;Forward Current Io : 150 mA;Max Surge Current : 2.0 A;Forward Vo
1N914BX	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,
1N914FV	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914G	SWST	获取价格	小信号开关二极管

与1N914BWSRR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N914BWSRR

1N914BWSRR 技术参数

1N914BWSRR 数据手册

与1N914BWSRR相关器件

与1N914BWSRR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N914BWSRR

1N914BWSRR 技术参数

1N914BWSRR 数据手册

与1N914BWSRR相关器件

与1N914BWSRR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？