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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.08 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N914LEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N914-N | ETC |
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Complementary Switching Diode Chips |
|
| 1N914R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N914-R | ETC |
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Complementary Switching Diode Chips |
|
| 1N914-RN | ETC |
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Complementary Switching Diode Chips |
|
| 1N914S | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon |
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| 1N914T/R | NXP |
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DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Sign |
|
| 1N914T-10A | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N914T11A | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35 |
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| 1N914T-11A | ROHM |
获取价格 |
0.15A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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