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1N914-TP

更新时间： 2024-11-24 20:48:31

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		开关二极管
页数	文件大小	规格书
4页	229K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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1N914-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-XALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	6.98
Samacsys Description：	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 1N914-TP - SWITCHING DIODE, 100V, DO-35, FULL REEL	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N914-TP 数据手册

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1N914(A)(B)

ꢀ

)HDWXUHVꢀ

•

Moisture Sensitivity Level 1

500mW 100 Volt

Silicon Epitaxial

Diodesꢀ

•

Low Current Leakage

Compression Bond Construction

Low Cost

•

Marking : Cathode band and type number

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

DO-35

0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀ

•

Operating Temperature: -55^OC to +150^OC

Storage Temperature: -55^OC to +150^OC

Maximum Thermal Resistance; 300^OC/W Junction To Ambient

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Maximum Repetitive

ReverseVoltage

V_RRM

100V

Average Rectified

Forward Current

I_O

200mA

Power Dissipation

Junction Temperature

Peak Forward Surge

Current

P_D

T_J

500mW

150^OC

1.0A

Cathode

Mark

Pulse Width=1.0

second

Pulse Width=1.0

microsecond

I_FSM

4.0A

Minimum Breakdown

Voltage

100V

75V

I_R=100µA,

I_R=5.0µA

V_R

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

1N914

1N914 A

1N914 B

Maximum Reverse

Current

T = 25^OC

V_F

1.0V

_FM= 10mA;

I_FM= 20mA;

_FM= 100mA;

DIMENSIONS

720mV

25nA

5.0µA

I_FM= 5.0mA;

V =20V, T_J=25^OC,

INCHES

MIN

---

MIN

---

25.40

V =75V, T_J=25^OC,

DIM

MAX

.166

.079

.020

---

MAX

4.2

NOTE

I_R

V =20V, T_J=150^OC

50µA

2.00

.52

---

Typical Junction

Capacitance

ReverseRecovery

Time

Measured at 1.0MHz,

C_J

4.0pF

4.0nS

1.000

V =0V

I_F=10mA

V = 6V

T_rr

R_L=100 Ù, I_rr=1.0mA

*Pulse test: Pulse width 300 usec, Duty cycle 2%

Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 7(C)-I.

www.mccsemi.com

Revision: B

2012/01/01

1 of 4

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1N914-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N914	VISHAY	类似代替	Fast Switching Diodes

与1N914-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N914TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914TR	ONSEMI	获取价格	高电导快速二极管
1N914TR	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N914TR	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLI
1N914-TR	VISHAY	获取价格	Fast Switching Diodes
1N914TR_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N914TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914TR-RECU	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914TR-RMCU	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914UR	CDI-DIODE	获取价格	SWITCHING DIODE

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