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1N914T50R

更新时间: 2024-11-24 15:24:39
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
2页 148K
描述
100V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N914T50R 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.59外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N914T50R 数据手册

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