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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N914HG
1N914HG PDF预览

1N914HG

更新时间： 2024-11-24 13:03:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35

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1N914HG 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-LALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.59
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

1N914HG 数据手册

 浏览型号1N914HG的Datasheet PDF文件第2页 
1N4148 / 1N4150 / 1N4448 / 1N914B  
Diodes  
Switching diode  
1N4148 / 1N4150 / 1N4448 / 1N914B  
∗This product is available only outside of Japan.  
!External dimensions (Units : mm)  
!Applications  
High-speed switching  
!Features  
1) Glass sealed envelope. (GSD)  
2) High speed.  
CATHODE BAND (BLACK)  
Type No.  
φ 0.5 0.1  
C
A
3) High reliability.  
φ 1.8 0.2  
29  
1
3.8 0.2  
29 1  
!Construction  
ROHM : GSD  
Silicon epitaxial planar  
EIAJ : −  
JEDEC : DO-35  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
I
FSM  
V
(V)  
RM  
V
(V)  
R
I
FM  
I
O
I
F
P
(mW)  
Tj  
°C  
Topr  
Tstg  
1µs  
(A)  
Type  
(mA)  
(mA)  
(mA)  
(
)
(°C  
)
(°C)  
1N4148  
1N4150  
100  
50  
75  
50  
75  
450  
600  
450  
150  
200  
150  
200  
250  
200  
2
4
2
500  
500  
500  
200  
200  
200  
−65  
−65  
−65  
~+200  
~+200  
~+200  
−65  
−65  
−65  
~+200  
~+200  
~+200  
1N4448  
(1N914B)  
100  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
V
F
(V)  
BV (V) Min.  
I
R
(µA) Max.  
@25°C @150°C  
(V) (V)  
0.025 20  
C
r
(pF)  
t
V
rr (ns)  
=6V  
R
Type  
VR=0  
f=1MHz  
@
@
@
@
@
@
@
@
@
@
@
@
@
@
IF=10mA  
0.1mA 0.25mA 1mA  
2mA  
5mA  
10mA 20mA 30mA 50mA 100mA 200mA 250mA 5µA 100µA  
V
R
V
R
RL  
=100Ω  
1N4148  
1N4150  
75  
−
100  
50  
50.0  
20  
4
4
5.0  
75  
1.0  
0.66  
0.54  
0.62  
0.76  
0.86  
0.82  
0.92  
0.87  
1.0  
0.1  
50 100.0 50  
2.5  
4
4
4
0.74  
0.62  
0.025 20  
5.0 75  
1N4448  
(IN914B)  
−
100  
50.0  
20  
0.72  
and the lower figure is the maximum V  
1.0  
The upper figure is the minimum V  
F
F
value.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N914HJ ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914HL ROHM

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