1N6693TX

更新时间： 2024-11-04 04:24:55

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描述
20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER

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1N6693TX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	E-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	E-XALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	375 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N6693TX 数据手册

1N6690-1N6693

and

1N6690US-1N6693US

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

20 AMP

600-1200 Volts

75 nsec

1N66 __ __ __

L Screening^2/= None

ULTRA FAST RECTIFIER

⏐

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

• Replaces DO-4 and DO-5

• Ultra Fast Recovery

Package ____ = Axial

SMS = Surface Mount Square Tab

• PIV to 1200 Volts

Voltage

• Low Reverse Leakage

90 = 600 V

• Hermetically Sealed Void-Free Construction^3/

• Monolithic Single Chip Construction

• High Surge Rating

91 = 800 V

92 = 1000 V

93 = 1200 V

• Low Thermal Resistance

• Available in Surface Mount Versions (-US Suffix) and in

Button Tab Mounting (See Data Sheet RU0129).

• TX, TXV, and S-Level Screening Available^2/

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Volts

1N6690 & 1N6690US

1N6691 & 1N6691US

1N6692 & 1N6692US

1N6693 & 1N6693US

600

800

1000

1200

Peak Repetitive Reverse and

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 100ºC)

Amps

Repetitive Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, Allow Junction to

Reach Equilibrium Between Pulses, T_A= 25ºC)

I_FSM

375

Amps

ºC

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

-65 to +175

Maximum Thermal Resistance

Junction to Leads, L = 3/8 "

Junction to End Tab

R_θJL

R_θJE

3.0

2.5

ºC/W

Notes:

1/ For Ordering Information, Price, Operating Curves, and Availability – Contact Factory.

2/ Screening Based on MIL-PRF-19500. Specifics Available on Request.

3/ PIND Testing not Required on Void Free Devices per MIL-PRF-19500.

Axial Leaded

SMS

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RU0143D

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与1N6693TX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6693TXV	SSDI	获取价格	20 AMP 600-1200 Volts 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
1N6693US	SSDI	获取价格	20 AMP 600 - 1200 VOLTS 75 ns ULTRA FAST RECTIFIER
1N66A	NJSEMI	获取价格	GOLD BOUNDED GERMANUM DIODE
1N67	NJSEMI	获取价格	GOLD BOUNDED GERMANUM DIODE
1N6700	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
1N6700	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,
1N6700US	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,
1N6701	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,
1N6701	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,
1N6701US	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,

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