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1N6459A

更新时间: 2024-11-16 19:59:35
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 40V V(RRM), Silicon, TO-244AB,

1N6459A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-244AB包装说明:R-XUFM-X2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.58其他特性:REVERSE ENERGY TESTED
应用:POWER配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.8 VJEDEC-95代码:TO-244AB
JESD-30 代码:R-XUFM-X2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2000 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6459A 数据手册

 浏览型号1N6459A的Datasheet PDF文件第2页 

与1N6459A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6459D MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 40V V(RRM), Silicon, TO-244AB,
1N645A NJSEMI

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SILICON GENERAL PURPOSE DIODE
1N645BK CENTRAL

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7
1N645BKLEADFREE CENTRAL

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7
1N645LEADFREE CENTRAL

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7
1N645N CENTRAL

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7
1N645R MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon,
1N645TR CENTRAL

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1N645TRLEADFREE CENTRAL

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7
1N645UR-1 CDI-DIODE

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SILICON RECTIFIER