5秒后页面跳转
1N646 PDF预览

1N646

更新时间: 2024-11-06 13:47:19
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 113K
描述
Diode 300V 0.4A 2-Pin DO-35

1N646 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE元件数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.4 A最大重复峰值反向电压:300 V
Base Number Matches:1

1N646 数据手册

  

与1N646相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6460 MICROSEMI

获取价格

Schottky Rectifier
1N6460D MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, TO-244AB, TO-244
1N6461 SEMTECH

获取价格

QPL 500 Watt Axial Leaded TVS
1N6461 MICROSEMI

获取价格

TRANSIENT SUPPRESSORS
1N646-1 MICROSEMI

获取价格

Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
1N6461_08 MICROSEMI

获取价格

Voidless-Hermetically-Sealed Unidirectional Transient Suppressors
1N646-1E3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAG
1N6461US SEMTECH

获取价格

QPL 500 Watt Surface Mount TVS
1N6461US MICROSEMI

获取价格

Transient Voltage Suppressor
1N6462 MICROSEMI

获取价格

TRANSIENT SUPPRESSORS