1N6462US

更新时间： 2024-11-23 23:18:23

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	67K
描述
Transient Voltage Suppressor

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1N6462US 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BODED
最小击穿电压：	6.5 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	11 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	6 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV1N6462US	MICROSEMI	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA
JANTX1N6462US	MICROSEMI	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6463	MICROSEMI	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6463	SEMTECH	获取价格	QPL 500 Watt Axial Leaded TVS
1N6463	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERM
1N6463US	MICROSEMI	获取价格	Transient Voltage Suppressor
1N6463US	SEMTECH	获取价格	QPL 500 Watt Surface Mount TVS
1N6464	MICROSEMI	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6464	SEMTECH	获取价格	QPL 500 Watt Axial Leaded TVS
1N6464	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERM
1N6464.TR	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
1N6464US	MICROSEMI	获取价格	Transient Voltage Suppressor