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1N6464US

更新时间: 2024-02-02 06:58:38
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
Transient Voltage Suppressor

1N6464US 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.37
Is Samacsys:N最小击穿电压:16.4 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6464US 数据手册

 浏览型号1N6464US的Datasheet PDF文件第2页 

1N6464US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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