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1N6465

更新时间: 2024-11-04 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6465 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.37Is Samacsys:N
其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE最小击穿电压:27 V
击穿电压标称值:27 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:41.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:24 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6465 数据手册

 浏览型号1N6465的Datasheet PDF文件第2页 

1N6465 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6465 MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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