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1N6461US

更新时间: 2024-02-11 06:03:53
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 67K
描述
Transient Voltage Suppressor

1N6461US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:17 weeks风险等级:5.37
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:5.6 V
最大钳位电压:9 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-N2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:5 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6461US 数据手册

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1N6461US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N6461US MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA
JANTXV1N6461US MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA
JANTX1N6461US MICROSEMI

完全替代

Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors

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