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1N645TR

更新时间: 2024-11-24 21:03:55
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CENTRAL 二极管
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1页 27K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7

1N645TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.25
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:225 V
最大反向恢复时间:0.2 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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