5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.4 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 225 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N645TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N645UR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER |
|
| 1N645UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER |
|
| 1N645UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N645X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N646 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
|
| 1N646 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 300V V(RRM) |
|
| 1N646 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 300V 0.4A 2-Pin DO-35 |
|
| 1N6460 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
|
| 1N6460D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, TO-244AB, TO-244 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
