1N645UR-1

更新时间： 2024-11-04 22:17:11

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CDI-DIODE		整流二极管
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2页	36K
描述
SILICON RECTIFIER

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1N645UR-1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MELF-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.4 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	225 V
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

1N645UR-1 数据手册

1N645UR-1

CDLL645

• AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV

PER MIL-PRF-19500/240

• SILICON RECTIFIER

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Operating Current: 400 mA @ 25ºC

150 mA @ 150ºC

Derating: 2.0mA/°C between 25ºC to 150ºC

6.0mA/°C between 150ºC to 175ºC

MILLIMETERS

INCHES

DIM MIN MAX MIN MAX

1.60

0.41

3.30

1.70 0.063 0.067

0.55 0.016 0.022

3.70 .130 .146

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified

2.54 REF.

0.03 MIN.

.100 REF.

.001 MIN.

@400mA

CAP

@ V

=4V

RSM

RWM

FSM

TYPE

=1/120 s

=25ºC

(pk)

FIGURE 1

CDLL, 1N645UR-1

270

225

0.8 -1.0

2.0

DESIGN DATA

CASE: DO-213AA, Hermetically sealed

glass case. (MELF, SOD-80, LL34)

at V

=25ºC

RWM R2

RWM

RSM

TYPE

=25ºC

= 150°C

LEAD FINISH: Tin / Lead

µA

0.05

µA

CDLL, 1N645UR-1

THERMAL RESISTANCE: (R

OJEC

100 ˚C/W maximum

THERMAL IMPEDANCE: (Z

˚C/W maximum

): 35

POLARITY: Cathode end is banded.

MOUNTING POSITION: Any.

MOUNTING SURFACE SELECTION:

The Axial Coefficient of Expansion

(COE) Of this Device is Approximately

+6PPM/°C. The COE of the Mounting

Surface System Should Be Selected To

Provide A Suitable Match With This

Device.

22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176

PHONE (781) 665-1071

WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com

FAX (781) 665-7379

E-mail: mail@cdi-diodes.com

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