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1N645A

更新时间: 2024-11-06 14:56:03
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NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 36K
描述
SILICON GENERAL PURPOSE DIODE

1N645A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-609代码:e0元件数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.4 A最大功率耗散:0.6 W
最大重复峰值反向电压:225 V端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

1N645A 数据手册

  

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