5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-7 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.4 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 225 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N645R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, |
|
| 1N645TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N645TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N645UR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER |
|
| 1N645UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER |
|
| 1N645UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N645X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N646 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
|
| 1N646 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 300V V(RRM) |
|
| 1N646 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 300V 0.4A 2-Pin DO-35 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
