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1N645R

更新时间: 2024-11-06 05:57:27
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon,

1N645R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.66外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N645R 数据手册

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