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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.4 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 225 V | 最大反向恢复时间： | 0.2 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N645N | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7 |
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| 1N645R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, |
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| 1N645TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N645TRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7 |
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| 1N645UR-1 | CDI-DIODE |
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SILICON RECTIFIER |
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| 1N645UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER |
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| 1N645UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| 1N645X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| 1N646 | MICROSEMI |
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Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
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| 1N646 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 300V V(RRM) |
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