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1N645

更新时间: 2024-01-24 04:49:25
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1页 75K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7,

1N645 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.66外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N645 数据手册

  
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

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