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1N645-1

更新时间： 2024-01-13 14:28:08

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	173K
描述
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

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1N645-1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-609代码：	e0
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N645-1 数据手册

1N645 to 649

Silicon Rectifier Diodes

DO-35 Glass Package

1N645-1 to 649-1

Use Advantages

Used as a general purpose rectifier in power supplies, or for clipping and

steering applications.

High performance alternative to small signal diodes where space does not

permit use of power rectifiers.

May be used in hostile environments where hermeticity and reliability are

important i.e. (Military and Aero/Space). MIL-S- 19500/ 240 approvals.

Available up to JANTXV-1 level.

"S" level screening capability to Source Control Drawings.

Features

DO -35 G lass Package

Six Sigma quality

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Humidity proof glass

Metallurgicallybonded

Thermally matched system

No thermal fatigue

High surge capability

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 m m

(M in.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

1.53-2.28 mm

Sigma Bond™ plated contacts

100% guaranteed solderability

(DO-213AA) SMD MELF commercial (LL) and MIL (UR-1) types available

Absolute Maximum Ratings

Symbol

P_tot

Value

600

Unit

mWatts

mAmps

^oC

Power Dissipation at 3/8" from the body, T_L= 75 ^oC

AverageForwardRectifiedCurrentatT_L= 75 ^oC

OperatingandStorageTemperatureRange

ThermalImpedance

I_AV

400

T_O&S

Z_qJX

-65 to 175

^oC/W

Detail Specifications

Breakdown

Voltage

(MIN.)

@ 100µA

(B_V)

Maximum

Average Rectified Current

_______________

Forward

Voltage

Drop

Maximum

Surge

Current Capacitance

Typical

Junction

Reverse

Voltage

Reverse Leakage Current

_______________

(I_R) @ V_R

(I_O)

(V_F) @ I_F= 400mA

(I_FSM

)

@ -12V

(C_O)

(V_R)

25° C

150° C (MIN.)

(MAX.) 25° C

100° C

(NOTE 1)

Type

Volts

Amps

Volts

µA

Amps

1N645,-1

1N646,-1

1N647,-1

1N648,-1

1N649,-1

225

300

400

500

600

275

360

480

600

720

0.4

0.15

1.0

0.2

Note 1: Surge Current @T_A= +25° C to +150° C, for 1 Second

For MELF DO-213AA surface mount package, replace "1N" prefix with "LL" for commercial.

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

12 3

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1N645-1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N645	MICROSEMI	完全替代	Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
JANTX1N645-1	MICROSEMI	类似代替	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, MICRO MINI
JAN1N645-1	MICROSEMI	类似代替	Silicon Rectifier Diodes

与1N645-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N645-1/TR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
1N6451A	DIGITRON	获取价格	600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UNIDIRECTIONAL
1N645-1E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
1N6452	DIGITRON	获取价格	600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UNIDIRECTIONAL
1N6452A	DIGITRON	获取价格	600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UNIDIRECTIONAL
1N6453	DIGITRON	获取价格	600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UNIDIRECTIONAL
1N6453A	DIGITRON	获取价格	600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UNIDIRECTIONAL
1N6454	DIGITRON	获取价格	600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UNIDIRECTIONAL
1N6454A	DIGITRON	获取价格	600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR UNIDIRECTIONAL
1N6455	DIGITRON	获取价格	Transient Voltage Suppressor, Uni-directional; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 600; M

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