1N60L-TN3-R

更新时间： 2024-01-22 20:33:49

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描述
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

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1N60L-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	28 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES

1N60L-TN3-R 数据手册

1N60

Power MOSFET

ꢀ

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS(cont.)

On-Resistance vs. Temperature

Breakdown Voltage vs. Temperature

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

1.2

1.1

V_GS=10V

I_D=0.6A

V_GS=0V

I_D=250μA

1.0

0.9

0.8

0.5

0.0

200

-100 -50

100 150

200

-100 -50

100 150

Junction Temperature, T_J(℃)

Max. Drain Current vs. Case Temperature

Max. Safe Operating Area

1.2

0.9

Operation in This Area

is Limited by R_DS(on)

10¹

100μs

1ms

10ms

10⁰

0.6

0.3

0.0

10^-1

10^-2

T_c=25℃

T_J=150℃

Single Pulse

10⁰

10¹

10²

10³

100

125

150

Drain-Source Voltage, V_DS(V)

Case Temperature, T_C(℃)

Thermal Response

D=0.5

10⁰

θ_JC(t) = 3.13℃/W Max.

Duty Factor, D=t1/t2

T_JM-T_C=P_DM×θ_JC(t)

0.2

0.1

10^-1

P_DM

10⁰

Single pulse

10^-410^-3

10^-5

10¹

10^-2

10^-1

Square Wave Pulse Duration, t₁(sec)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

7 of 8

QW-R502-052,D

www.unisonic.com.tw

1...4 5 678

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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